常州做集装箱的公司,旺道seo网站优化大师,珠海seo排名收费,做网站营销怎么去推广本文介绍一下常用的存储芯片DDR3#xff0c;包括DDR3的芯片型号识别、DDR3芯片命名、DDR3的基本结构等知识#xff0c;为后续掌握FPGA DDR3的读写控制打下坚实基础。
一、DDR3芯片型号
电路板上的镁光DDR3芯片上没有具体的型号名。 如果想知道具体的DDR3芯片型号#…本文介绍一下常用的存储芯片DDR3包括DDR3的芯片型号识别、DDR3芯片命名、DDR3的基本结构等知识为后续掌握FPGA DDR3的读写控制打下坚实基础。
一、DDR3芯片型号
电路板上的镁光DDR3芯片上没有具体的型号名。 如果想知道具体的DDR3芯片型号那怎么办?
这里我们首先要知道DDR3芯片信号丝印的信息含义
第一行数字字母表示产地等信息。
第二行数字字母表示FBGA Code。
将FBGA Code这串数字输入下面这个镁光的官网网址即可查询
https://www.micron.com/support/tools-and-utilities/fbga
这里我们来试一下 二、DDR3芯片命名
这里以镁光的DDR3芯片为例不同系列的镁光芯片命名略有差异基本大同小异使用的是MT41J256M16HA-125。
MT——Micron的厂商名称。
41J——内存的类型。
256M16——内存颗粒容量为256M*16bits。
HA——封装方式。
-125——速度等级1600MHz其tCK参数1.25nsCL为11ns。 我们通过 Configuration,Package,Speed..等 DDR3的命名可知道 DDR3的容量封装这度等级等信息。 通过以上信息我们即可知道 DDR3的内存容量Row,Column和 Bank的地址位宽。
更多的信息请查看官方芯片手册。
三、DDR3芯片基本结构 四、DDR 引脚说明
DDR3不同的功能引脚有不同的要求可划分为控制总线、地址总线、数据总线、电源与参考电压。 1、控制总总线
ODT片上终端使能ODT使能和禁止片内终端电阻。
ZQ输出驱动较准的外部参考引脚应外接一个RZQ电阻到VSSQ一般接到地。
RESET芯片复位引脚低电平有效。
CKE时钟使能引脚。
A12A12为地址引脚叫做BC引脚有另外一个功能A12会在READ和WRITE命令期间被采样决定burst chop是否会被执行。
CKCK#时钟信号线DDR3的时钟线是差分时钟线控制信号和地址信号都会在CK的上升沿和CK#的下降沿交叉处采集。
CS#片选信号低电平有效。
RAS#行地址选通信号。
CAS#列地址选通信号。
WE#写使能信号。
2、地址线
A[14:0]15根行地址线A0A14和10根列地址线A0~A9行地址线和列地址线进行复用。
BA[2:0]BA0~BA2为Bank的选择线由2^38可以总共有8个Bank。
8个Bank区域DDR3一般有8个Bank区域。
3、数据总线
DQ[15:0]DQ0~DQ15为16根数据线该DDR3L的宽度为16位。
LDQSLDQS#数据选通引脚对应低字节DQ0~DQ7读的时候是输出写的时候为输入
UDQSUDQS#数据选通引脚对应高字节DQ8~DQ15读的时候是输出写的时候为输入。 LDM/UDM写数据输入屏蔽引脚。
五、DDR关键时间参数
1、传输速率
比如1066MT/S、1600MT/S等这个参数决定了DDR的最高数据传输速率。
2、tRCD
tRCD的全称为RAS-to-CAS Delay行寻址到列寻址之间的延迟。
DDR的寻址流程为先输入Bank地址和行地址再输入列地址确定最终要寻址的存储单元该命令叫行激活。
在行激活到读写命令发出的这段时间时隔就是tRCD。
3、CL
CLCAS Latency即列地址选通潜伏期当列地址发出以后就会触发数据传输从数据从存储单元到内存芯片IO接口上需要的这一段时间。
4、AL
ALAdditive Latency参数是为了保证足够的延迟潜伏期单位为时钟周期ALCL组成了RLRead Latency。
5、tRC
tRC是两个ACTIVE命令或者ACTIVE命令到REFRESH命令之前的周期DDR的数据手册会给出该值。
6、tRAS
tRAS是ACTIVE命令到PRECHARGE命令之间的最小时间。 本文将不断定期更新中码字不易点⭐️赞收⭐️藏一下不走丢哦
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