网站改版 被百度k,建e网手机版,淮阳住房和城乡建设网站,利用codeing做网站ST典型碳化硅MOSFET驱动应用方案 1.栅极驱动器规格和功能实现 参考资料#xff1a;ST官网应用手册《AN4671》
作者#xff1a;Xiou
1.栅极驱动器规格和功能实现
以下是对栅极驱动要求的简短列表#xff1a; dv / dt 的瞬变抗扰度#xff1a;在整个温度范围内 50 V/ns。 … ST典型碳化硅MOSFET驱动应用方案 1.栅极驱动器规格和功能实现 参考资料ST官网应用手册《AN4671》
作者Xiou
1.栅极驱动器规格和功能实现
以下是对栅极驱动要求的简短列表 dv / dt 的瞬变抗扰度在整个温度范围内 ±50 V/ns。 碳化硅 MOSFET 是针对快速切换和在高频率下工作因此观察到的器件的 dv / dt 比硅IGBT 要高。 最小电压摆幅22-28 V 碳化硅 MOSFET 要求较高的正栅极驱动电压 20V根据不同的应用负栅极关断电压可以在 -2 V 到 -6 V 范围内选择。驱动器的最大电源电压额定值必须介于 22 V 和 28 V 之间因为这取决于施加的负关断电压。鉴于切换器件所需的栅极电荷比较低较高的电压摆幅不影响所要求的栅极驱动电源。 在所有的温度条件下 , 最小 2A 的电流能力 供应 / 汲取电流来驱动 1200 V100 毫欧 SCT30N120 。
上节所报告的波形清楚地表明在最大的开关速度 外部栅极电阻 Rg 1Ω栅极峰值电流接近 2A所以要求最小 2A 的电流驱动能力实现最小的开关损耗。
理想的碳化硅 MOSFET 栅极驱动代表 “ 黑盒子 ”用来激发器件的全部潜力。因此与驱动普通 IGBT 相比 , 它必须提供较高电压摆幅以及较大的电流能力来驱动栅极。
在可用的几种 ST 驱动碳化硅 MOSFET 解决方案中 STGAP1S gapDRIVE ™ 是首选的方案它是一个具有保护配置和诊断功能并且是电流隔离的 N 沟道 MOSFET 和 IGBT 单栅极驱动器。 该 STGAP1S 驱动器具有 5A 的电流能力输出驱动器部分提供了线对线输出并且提供负栅极驱动电源的可能性。此外独立的供给和汲取输出 sink/source提供了高度的灵活性并减少外部元件的物料清单。
米勒钳位保护功能包括控制半桥配置功率级切换时发生的米勒电流。当功率开关处于关闭状态 OFF时同一桥臂上另一开关被导通时驱动器能避免由于米勒电容 CGD可能发生的导通现象。
在关断期间CLAMP 引脚监视着开关栅极。当栅极电压低于阈值电压 VCLAMPth钳位开关被激活从而使开关栅极和 VL 引脚之间实现低阻抗路径见下图。
