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ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻#xff08;RDS(ON)#xff09;为2.5Ω#xff0c;是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A#xff0c;零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA#xff0c;其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65S…编辑-Z
ASE4N65SE在TO-220F封装里的静态漏极源导通电阻RDS(ON)为2.5Ω是一款N沟道高压MOS管。ASE4N65SE的最大脉冲正向电流ISM为16A零栅极电压漏极电流(IDSS)为10uA其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE4N65SE功耗PD为50W。ASE4N65SE的电性参数是正向电流(Io)为4A漏极-源极击穿电压为650V二极管正向电压(VSD)为1.4V其中有3条引线。 ASE4N65SE参数描述
型号ASE4N65SE
封装TO-220F
特性N沟道高压MOS管
电性参数4A 650V
正向电流(Io)4A
静态漏极源导通电阻RDS(ON)2.5Ω
功耗PD50W
二极管正向电压(VSD)1.4V
最大脉冲正向电流ISM16A
零栅极电压漏极电流(IDSS)10uA
工作温度-55~150℃
引线数量3 ASE4N65SE是TO-220封装系列。它的本体长度为15.87mm加引脚长度为28.8mm宽度为10.16mm高度为4.7mm脚间距为2.54mm。 以上就是关于ASE4N65SE-ASEMI高压MOS管ASE4N65SE的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
