免费网站建设模板下载,网站页面设计教程,wordpress index of,广东东莞直播基地电力晶体管#xff08;Giant Transistor#xff0c;GTR#xff09;是一种全控性器件#xff0c;以下是关于它的详细介绍#xff1a;#xff08;模电普通晶体管三极管进行对比学习#xff09; 基本概念 GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管#xff08;BJTGiant TransistorGTR是一种全控性器件以下是关于它的详细介绍模电普通晶体管三极管进行对比学习 基本概念 GTR是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管BJT也称为Power BJT。它是电流控制的双极双结大功率、高反压电力电子器件具有自关断能力可在电源、电机控制、通用逆变器等中等容量、中等频率的电路开关特性不错中实现对电流和电压的精确控制。 结构 GTR由三层半导体、两个PN结组成有PNP和NPN两种类型通常多用NPN结构。以NPN型为例有发射区EmitterE、基区BaseB和集电区CollectorC三个区域发射区和基区之间形成发射结JE基区和集电区之间形成集电结JC。 工作原理 使用的时候通常按照达林顿接法构成单元结构采用共发射极的接法。 三个晶体管按照达林顿接法可以有效的增大电流放大增益。目的
在电力电子技术中GTR主要工作在开关状态。
正偏Ib0时大电流导通
反偏Ib0时处于截止状态。放大状态下集电极电流是基极电流的β倍实现电流放大功能。饱和状态时集电结正偏集电极 - 发射极电压很低呈现低电阻状态。截止状态时发射结和集电结都反偏仅有很小的漏电流呈现高电阻状态。 基本特性 耐压高电流大开关特性好。 - 静态特性共发射极接法时可分为截止区、放大区和饱和区。 - 动态特性 开通时间是从基极输入正向信号开始到集电极电流上升至稳态值的90%所需的时间。
关断时间包括储存时间 ts让晶体管退出饱和的时间和关断时间 tf是从基极输入负向信号开始到集电极电流下降至稳态值的10%所需的时间。 主要参数 包括最高工作电压、
集电极最大允许电流ICM、
集电极最大允许耗散功率PCM、最高工作结温TJM等。
GTR的二次击穿现象与安全工作区 一次击穿:集电极电压升高至击穿电压时ic 迅速增大。只要/不超过限度。GTR一般不会损坏工作特性也不变。
二次击穿:特有的二次击穿临界线一次击穿发生时ic 突然急剧上升电压陡然下降。常常立即导致器件的永久损坏或者工作特性明显衰变。
安全工作区(Safe Operating Area-SOA)最高电压Ucem、集电极最大电流/cm、最大耗散功率PcM、二次击穿临界线限定。 优缺点 - 优点饱和压降低、开关时间短、安全工作区宽、开关损耗小电路灵活成熟。 - 缺点驱动电流较大、耐浪涌电流能力差、易受二次击穿而损坏。
