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ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻#xff08;RDS(ON)#xff09;为200mΩ#xff0c;是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A#xff0c;零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA#xff0c;其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功…编辑-Z
ASE28N50在TO-247封装里的静态漏极源导通电阻RDS(ON)为200mΩ是一款N沟道高压MOS管。ASE28N50的最大脉冲正向电流ISM为110A零栅极电压漏极电流(IDSS)为1uA其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。ASE28N50功耗PD为300W。ASE28N50的电性参数是正向电流(Io)为28A漏极-源极击穿电压为500V二极管正向电压(VSD)为1.4V其中有3条引线。 ASE28N50参数描述
型号ASE28N50
封装TO-247
特性N沟道高压MOS管
电性参数28A 500V
正向电流(Io)28A
静态漏极源导通电阻RDS(ON)200mΩ
功耗PD300W
二极管正向电压(VSD)1.4V
最大脉冲正向电流ISM110A
零栅极电压漏极电流(IDSS)1uA
工作温度-55~150℃
引线数量3 ASE28N50是TO-247封装系列。它的本体长度为21.1mm加引脚长度为41.42mm宽度为16.13mm高度为5.21mm脚间距为5.44mm。 以上就是关于ASE28N50-ASEMI高压N沟道MOS管ASE28N50的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。
