下载网站模板怎么使用,做物流网站的公司,网络服务通知,兄弟们有没有没封的网站文章目录 flash #xff08;stm32f40x 41x的内存映射中区域详解#xff09;flash写数据时 flash #xff08;stm32f40x 41x的内存映射中区域详解#xff09;
Main memory 主存储区 放置代码和常数 System memory 系统存储区 方式bootloader代码 OTP区 一次性可编程区 选项… 文章目录 flash stm32f40x 41x的内存映射中区域详解flash写数据时 flash stm32f40x 41x的内存映射中区域详解
Main memory 主存储区 放置代码和常数 System memory 系统存储区 方式bootloader代码 OTP区 一次性可编程区 选项字节 配置读保护BOR级别软件/硬件看门狗以及期间处于待机或停止模式下的复位相当于一些寄存器。
flash写数据时
flash写数据时对闪存的任何操作都会锁住总线这里锁住总线的锁定机制来控制访问点共享资源有设备要访问资源会在总线上设置一个锁定的状态表示正在访问此资源其他设备访问就会阻塞直到被释放标志。 所以在进行写操作的时候有必要写禁止数据缓存 flash擦除数据是写1写入数据的时候是写0
flash闪存的配置和代码建议查看这篇博客详细清楚 https://cloud.tencent.com/developer/article/2190978
在代码中。标准库会有禁止数据缓存的标志即
FLASH_DataCacheCmd(DISABLE);但是在HAL库中并没有这一步知识对flash区域上锁解锁HAL库函数有对标志位清除这一项但是数据缓存标志禁止未提及。目前的一种说法是有可能是HAL库的代码优化导致但是有待考察。手册中也没有提到。
在STM32中是一个32bits地址对应的一个字节flash是以最小单位字节操作的。 32位u32地址是一个地址代表1字节4个32位地址代表1个32位数 16位u16地址是一个地址代表1字节2个16位地址代表1个16位数
另外在控制寄存器FLASH_CR的时候PSIZE的配置 目前查到的资料是两种说法 一种是对应的电压只能对应并行位数例如电压范围在2.3-3.6v之间的只能是并行位数32 一种是高电压可以对应并行位数及以下的例如电压范围在2.3-3.6v之间的可以设置并行位数32,16,8 这里我建议遵循第一种
最后提一下底层访问通讯总线都要有加锁过程CPU与内存通讯时有地址总线总线的宽带意味着每次通讯读写的字节数。
