建设银行网站 无法访问,东莞淘宝运营,网站建设公司网,做网站用jsp和html1、1EDB9275F 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器#xff08;PG-DSO-8#xff09;
EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。
栅极驱动器系列具有6/-4 ns传输延迟精度#xff0c;可针对具有高系统级效率的快速开关应…1、1EDB9275F 采用DSO-8 150mil封装的单通道隔离栅极驱动器PG-DSO-8
EiceDRIVER™ 1EDB 产品系列 单通道栅极驱动器IC具有3 kVrms的输入输出隔离电压额定值。
栅极驱动器系列具有6/-4 ns传输延迟精度可针对具有高系统级效率的快速开关应用进行了优化。为支持功能安全的系统运行共模瞬态抗扰性CMTI超过300 V/ns典型输出级箝位速度短至20 ns输出级欠压锁定UVLO为14.4 V。 优势 对开关噪声具有极好的抗扰性 基于硬件的安全工作区保护SOA 启动期间的直通保护 极低的MOSFET开关损耗 死区时间损失极低
特征描述 3 kVrms 磁电隔离 符合UL 1577认证标准 300 V/ns共模瞬态抗扰性CMTI 输出阻抗 95 Ω (典型值源极 48 Ω (典型值漏极 6/-4ns传播延迟精度 20 ns典型值输出夹紧速度 14.4 V的欠压锁定UVLO
2、1EDS5663H GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能非常适合驱动GaN HEMTPG-DSO-16
新型单通道电隔离栅极驱动器IC组件1EDS5663H非常适合增强型GaN HEMT。 它具有非隔离栅极二极管输入特性和低阈值电压 例如CoolGaN™。 它可确保稳健高效的高压GaN开关操作同时大大减少研发工作并缩短产品上市时间。 技术磁耦合 通道数1 电压 - 隔离5700Vrms 共模瞬变抗扰度最小值150V/ns 传播延迟 tpLH / tpHL最大值44ns44ns 脉宽失真最大18ns일반 上升/下降时间典型值6.5ns4.5ns 电流 - 输出高、低4A8A 电流 - 峰值输出- 电压 - 正向 (Vf)典型值- 电压 - 输出供电3.13V ~ 3.47V 工作温度-40°C ~ 85°C 安装类型表面贴装型 封装/外壳16-SOIC0.2957.50mm 宽 供应商器件封装PG-DSO-16-30 认证机构CQCCSAULVDE 基本产品编号1EDS5663
四款坚固耐用、小尺寸、1EDB9275F、1EDS5663H、1EDN9550B、1EDN7512G单通道栅极驱动器IC —— 明佳达
3、1EDN9550B 具有真差分输入的单通道非隔离式栅极驱动器ICPG-SOT23-6
1EDN8550B是一款非隔离式栅极驱动器IC采用小型SOT-23封装。它具有真正的差分输入可在以下方面实现具有出色功率密度的高性价比解决方案 采用开尔文源MOSFET的升压PFC 同步整流阶段 控制IC和栅极驱动器IC之间距离较长的设计 降压-升压转换器 低压和中压半桥 高密度48V至12V中间总线转换器
特征描述 •真差分输入 •4A源电流 •8A灌电流 •独立的源/汇输出 •低电阻输出级 •最小输入脉冲宽度29ns •-7 ns/10 ns传播延迟精度 •输出的5A反向电流鲁棒性 •15V UVLO版本 •SOT-23封装6引脚
优势 •坚固耐用 •小尺寸 •PCB布局灵活 •高功率密度 •上市时间短
4、1EDN7512G 坚固低温快速单通道低侧边4/8 A栅极驱动器ICPG-WSON-6
单通道MOSFET栅极驱动器IC是控制IC与功能强大的MOSFET和GaN开关器件之间的关键要素。栅极驱动器IC可实现系统级高效率出色的功率密度和始终如一的系统稳健性。 1EDN 系列:快速精确强大且兼容
通过较短的5ns转换速率实现高效SMPS具有±5ns传播延迟精度可实现快速MOSFET和GaN开关独立的拉/灌电流输出简化应用设计工业标准封装和引脚输出便于系统设计升级 驱动配置低端 通道类型单路 驱动器数1 栅极类型N 沟道 MOSFET 电压 - 供电4.5V ~ 20V 逻辑电压 - VILVIH- 电流 - 峰值输出灌入拉出4A8A 输入类型反相非反相 上升/下降时间典型值6.5ns4.5ns 工作温度-40°C ~ 150°CTJ 安装类型表面贴装型 封装/外壳6-WDFN 裸露焊盘 供应商器件封装PG-WSON-6-1 基本产品编号1EDN7512
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