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目前市场上电池保护板多为分体方案多数场合使用没有问题部分场合对空间有进一步要求或者你不想用那么多器件想精简一些那么这个芯片就很合适对于充电电池来说应在使用保护的情况下进行充电或放电以避免电池损害该保护芯片在单节电池应用时放电电流不小于3A可适合多数场合使用。 价格低廉批量价格低于1毛。 一体电池充放电保护芯片有多个厂家生产每个厂家也有多种型号本文仅以FH8208C作为示例。
自动激活问题
此产品 初次接电芯上电时部分芯片需要充电激活激活后芯片正常工作。
概 述
FH8208C 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保护芯片。该芯片具有非常低的功耗和非常低阻抗的内置 MOSFET。该芯片有充电过压充电过流放电过压放电过流过热短路等各项保护等功能确保电芯安全高效的工作。 FH8208C 采用 SOT23-5 封装外围只需要一个电阻和一个电容应用极其简洁工作安全可靠。
应 用
单节锂离子可充电电池组 单节锂 聚合物可充电电池组 特 性 1 内置 48 mΩ MOSFET 2 SOT23-5 封装 3 内置过温保护 4 可耐 9V 充电器电压 5 两重过放电流检测保护 6 超小静态电流和休眠电流 A 静态工作电流为 2.6 uA典型值 B 休眠电流为 0.6 uA典型值 7 符合欧洲 “ROHS” 标准的无铅产品封装、脚位信息
FH8208 SOT23-5封装 FH8208 引脚定义 FH8208 引脚描述 引脚描述 管脚 符号 管脚描述 1 NC NC 2 GND 芯片地接电池芯负极 3 VDD 电源端 4,5 VM 充电器负电压接入端
FH8208 内部框图 FH8208 检测电压和检测电流
表中有3个值从左到右依次时最小典型最大值
FH8208C典型应用电路图 FH8208C单节锂离子和锂聚合物电池保护芯片 功能描述
过放电压情况
FH8208C监控电池的电压和电流并通过断开充电器或者负载保护单节可充电锂电池不会因为过充电压、过放电压、过放电流以及短路等情况而损坏。这些功能都使可充电电池工作在指定的范围内。该芯片仅需一颗外接电容和一个外接电阻MOSFET己内置等效电阻的典型值为48m2。 FH8208C支持四种运行模式正常工作模式、充电工作模式、放电工作模式和休眠工作模式。
正常工作模式
如果没有检测到任何异常情况充电和放电过程都将自由转换。这种情况称为正常工作模式。
过充电压情况
在正常条件下的充电过程中当电池电压高于过充检测电压(Wocv),并持续时间达到过充电压检测延迟时间(Tocv)或更长FH8208将控制MOSFET以停止充电。这种情况称为过充电压情况。如果异常情况在过充电压检测延迟时间(ToCv)内消失系统将不动作。 以下两种情况下过充电压情况将被释放 (1).充电器连接情况下VM端的电压低于充电器检测电压Vcha,电池电压掉至过充释放电压(VoCR)。 (2).充电器未连接情况下电池电压掉至过充检测电压(Vocv)。当充电器未被连接时电池电压仍然高于过充检测电压电池将通过内部二极管放电。
过充电流情况
在充电工作模式下如果电流的值超过ICHA并持续一段时间(T0CI1)或更长芯片将控制MOSFET以停止充电。这种情况被称为过充电流情况。FH8208C将持续监控电流状态连接负载或者充电器断开芯片将释放过充电流情况。
过放电压情况
在正常条件下的放电过程中当电池电压掉至过放检测电压(VoDv),并持续时间达到过放电压检测延迟时间(Tov)或更长FH8208C将切断电池和负载的连接以停止放电。这种情况被称为过放电压情况。当放电控制MOSFET被截止内部上拉电流管打开。当VDD电压小于等于2.3V(典型值)电流消耗将降低至休眠状态下的电流消耗(IPDW。这种情况被称为休眠情况。当VDD电压等于2.4V(典型值)或更高时休眠条件将被释放。 并且电池电压大于等于过放检测释放电压(VODR)时FH8208C将▣到正常工作条件。
过放电流情况过放电流1检测如果放电电流超过额定值且持续时间大于等于过放电流检测延迟时间电池和负载将被断开。
如果在过放电流检测延迟时间内电流又降至额定值范围之内系统将不动作。芯片内部下拉电流下拉VM,当VM的电压小于或等于过放电流1的参考电压过放电流状态将被复位。
负载短路电流情况
若VM管脚的电压小于等于短路保护电压(VSHORT),系统将停止放电电池和负载的连接将断开。TSHORT是切断电流的最大延迟时间。当VM的电压小于或等于过放电流1的参考电压负载短路状态将被复位。
充电器检测
当处于过放电状态下的电池和充电器相连若VM管脚电压小于等于充电器检测电压VCHA,当电池电压大于等于过放检测电压VoDV,FH8208C将释放过放电状态。
0V充电
可以0V充电电池电压低于2.3V,充电芯片进入休眠状态此时MOS断开芯片通过体二极管充电。电池电压低于2.3V,充电电流不能大于200mA,以免电池和芯片损坏。