网站板块设置,企业网站属于广告吗,wordpress模板个人博客,3分钟宣传片报价明细JFET的结构示意图
参考#xff1a;https://blog.csdn.net/weixin_45882303/article/details/106008695 下图是实际结构图#xff0c; 下面是原理图和符号表示#xff08;参考连接中的图片#xff09; 分析
VGS 对电压id的控制#xff08;固定VDS#xff09;
当让D和…JFET的结构示意图
参考https://blog.csdn.net/weixin_45882303/article/details/106008695 下图是实际结构图 下面是原理图和符号表示参考连接中的图片 分析
VGS 对电压id的控制固定VDS
当让D和S的电压一样两个耗尽层的宽度随G,S的变化而逐渐增加。因为两个耗尽层PN节两端加了反向电压。直到两个耗尽层接触最终使得电流变为0.最终的结果相当于C图中的形式。C图中的DS极加了电压但没关系结果是一样的只是在中间形成过程中又电场不是矩形的情况。
VDS 对电压id的控制固定VGS
图中的耗尽层形状是楔形因为DS直接形成了电场但是D到S的电势与G点的压差是不同的。所以相当于PN节每个点之间的电压差是不同的最终形成的PN节宽度不同。如下图A和C都是G的电压值但根据DS电场方向B的电势是大于E点电势的所以AB和CE的电压是不同的导致电压差较大的AB之间形成的反偏PN节到H点而CE之间的PN节到F点
